在前沿领域，我们正迎来电路线宽从10多纳米到7~10纳米的过渡期。 EUV光刻（极紫外光刻）技术，可以一次将微小的电路写入鬼芯片，尚未开发。目前，微型电路是通过重复操作制成的，成膜设备和刻蚀设备也在不断增加。

在服务器等使用的存储设备方面，现在已经采用了3D垂直堆叠的NAND存储设备。与传统的平面存储设备相比，这种立体设备可以增加单位尺寸芯片的存储容量。韩国三星电子、美国微软、日本东芝都在增加生产设备。

预计从现在到2020年的五年期间，总投资将达到5万亿日元（约合人民币3320亿元），是过去五年的两倍多。中国政府已将半导体产业定位为支柱产业，同时也在积极推动外商投资。

这三大变化可能会拉大设备制造商之间的差距。半导体的小型化、三维化，对设备的技术要求提高了。有分析认为，技术将成为半导体设备制造商的决定性因素。

一、ZXTN25012EFHTA电源管理芯片基本应用及特点介绍

概括：

* BVCEO > 12V

* BVECX > 6V

* hFE > 500

* IC（续）= 6A

* VCE(sat) < 32mV @ 1A

* RCE(sat) = 23m

* PD = 1.25W

描述：

先进的工艺能力和包装设计已被用于最大限度地提高这个小外形的功率处理和性能晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想的适用于空间非常宝贵的应用。

特征：

? 高功耗 SOT23 封装

? 高峰值电流

? 非常高的增益

? 低饱和电压

? 6V 反向阻断电压

应用：

? MOSFET 栅极驱动器

? 电源开关

? 电机控制

? 直流风扇

? DC-DC 转换器

二、DUP2105SOQ电源管理芯片基本应用及特点介绍

? 双线CAN总线保护器

? VBR (Min)   26.2V  IPP (Max)  8A     IR (Max) 100nA