2D NAND在进入1xnm节点之后，器件耐久性和数据保持特性持续退化，单元之间的耦合效应难以克服，很难解决集成度提高和成本控制的矛盾，进一步发展面临瓶颈。发展3D NAND已经是大势所趋。近期全球3D NAND的发展迎来少见的红火，之前认为仅三星独家领先的态势，可能需要重新思考，至少各方之间的差距正逐步缩小。因为谁都不愿在未来落后。

一、MP2617JD足球俱乐部反波胆,JD反波胆有限公司,JD反波胆俱乐部平台入口完整信息介绍

? 3A 宽输入电压开关充电器，

? 具有 NVDC 电源路径管理功能，

? 适用于 4.2V 单节锂离子电池应用

? 4V 至 10V 工作输入电压范围

? 5 个控制环路

? 用于 USB 和 AC 适配器的单端输入

? 兼容 USB2.0 和 USB3.0 输入规范

二、B2100JD足球俱乐部反波胆,JD反波胆有限公司,JD反波胆俱乐部平台入口完整信息介绍

? AEC Qualified  Yes

? Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard

? Configuration  Single

? MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A) 2 A

? @ TerminalTemperature TT (?C)  125 ?C

? Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)  100 V

? Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)  50 A

? Forward Voltage Drop VF (V)  0.79 V

? @ IF (A)  2 A

? Maximum ReverseCurrent IR (?A)  7 ?A

? @ VR (V)  100 V

? TotalCapacitance CT (pF) 75 pF