市调机构IC Insight指出，随着英特尔等多家厂商纷纷扩张到中国的工厂输出，大陆正迅速成为3D NAND的全球制造中心。另一方面，即使在国家安全的考虑下，限制了尖端技术的出口，但依靠40 nm光刻叠加 (overlay) 和蚀刻技术的3D NAND并不构成太大的影响。

一、SBRT3U40P1-7电源管理芯片基本应用及特点介绍

产品详情：

* 封装在紧凑的热效率PowerDI?123中

* SBRT3U40P1提供极低的VF和极好的反向泄漏

* 高温稳定性。非常适合用作整流器MR16桥式整流器应用中的二极管。

应用：

* 桥式二极管

* 阻塞二极管

* 反向保护二极管

特点和好处：

* 降低超低正向压降（VF）；提高效率和冷却器操作。

* 减少高温反向泄漏；提高可靠性，防止高温运行中的热失控故障。

* <1.1mm封装外形–非常适合薄型应用。

* 专利超级屏障整流器SBR?技术

* 无铅饰面；符合RoHS（注1和2）

* 无卤素和锑。“绿色”装置（注3）

* SBRT3U40P1Q适用于汽车应用，需要特定的变更控制；本部分为AEC-Q101合格，具有PPAP能力，并按照IATF 16949制造认证设施。

机械数据：

* 案例：PowerDI123

* 外壳材料：模压塑料“绿色”模压化合物；UL易燃性分类额定值94V-0

* 湿度敏感度：根据J-STD-020，为1级

* 端子：铜引线框架上退火的抛光亚光锡；根据MIL-STD-202，方法208可焊接

* 极性：阴极带

* 重量：0.01克（近似值）

二、BZX84C18Q电源管理芯片基本应用及特点介绍

? 350mW表面安装齐纳二极管

? VF 0.9V

? pd   300-350 Mw

? VZ@IZT 18

? Izt 5.0mA

? IR  0.1uA   @ VR  12.6V